炭化ケイ素SiC

説明

炭化ケイ素ウェーハSiC, 非常に硬く、MOCVD法によりシリコンとカーボンの結晶性化合物を合成的に生成し、その独特の広帯域ギャップと、低熱膨張係数、より高い動作温度、良好な熱放散、より低いスイッチングおよび伝導損失、よりエネルギー効率が高く、高い熱伝導率およびより強い電界破壊強度、ならびにより集中した電流という他の好ましい特性調子。Western Minmetals（SC）Corporationの炭化ケイ素SiCは、直径2 "3'4"および6"（50mm、75mm、100mm、150mm）のサイズで、工業用のn型、半絶縁またはダミーウェーハで提供できます。カスタマイズされた仕様は、世界中のお客様に最適なソリューションを提供します。

アプリケーション

高品質の4H/6H炭化ケイ素SiCウェーハは、ショットキーダイオードとSBD、高出力スイッチングMOSFETとJFETなど、多くの最先端の優れた高速、高温、高電圧の電子デバイスの製造に最適です。また、絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびサイリストの研究開発においても望ましい材料です。優れた新世代の半導体材料として、炭化ケイ素SiCウェーハは、高出力LEDコンポーネントの効率的なヒートスプレッダとして、または将来のターゲットを絞った科学的調査のためにGaN層を成長させるための安定した人気のある基板としても機能します。

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詳細

炭化ケイ素SiCWestern Minmetals（SC）Corporationは、直径2 "3 '4"および6"（50mm、75mm、100mm、150mm）のサイズで、産業用および実験室用のn型、半絶縁またはダミーウェーハを提供できます。カスタマイズされた仕様は、世界中のお客様に最適なソリューションを提供するためのものです。

一次方程式	SiC
分子量	40.1
結晶構造	ウルツ鉱
外観	個体
融点	3103±40K
沸点	該当なし
300Kでの密度	3.21 g / cm³
エネルギーギャップ	（3.00-3.23）eV
固有の抵抗率	>1E5Ω-cm
CAS番号	409-21-2
EC番号	206-991-8

いいえ。	アイテム	標準仕様
1	SiCサイズ	2"	3"	4"	6"
2	直径mm	50.8 0.38	76.2 0.38	100 0.5	150 0.5
3	成長方法	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	導電率タイプ	4H-N、6H-N、4H-SI、6H-SI
5	抵抗率Ω-cm	0.015-0.028;0.02-0.1;> 1E5
6	オリエンテーション	0°±0.5°;<1120>に向かって4.0°
7	厚さμm	330±25	330±25	（350-500）±25	（350-500）±25
8	プライマリフラットロケーション	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	一次フラット長さmm	16±1.7	22.2±3.2	32.5±2	47.5±2.5
10	二次フラットロケーション	シリコンを上向き：プライムフラットから時計回りに90°±5.0°
11	二次フラット長さmm	8±1.7	11.2±1.5	18±2	22±2.5
12	TTVμmmax	15	15	15	15
13	ボウμmmax	40	40	40	40
14	ワープμmmax	60	60	60	60
15	エッジ除外mmmax	1	2	3	3
16	マイクロパイプ密度cm-2	<5、工業用;<15、ラボ;<50、ダミー
17	転位cm-2	<3000、工業用;<20000、ラボ;<500000、ダミー
18	表面粗さnmmax	1（研磨済み）、0.5（CMP）
19	ひび割れ	なし、工業用グレードの場合
20	六角形のプレート	なし、工業用グレードの場合
21	傷	≤3mm、全長が基板の直径より短い
22	エッジチップ	なし、工業用グレードの場合
23	梱包	アルミニウム複合バッグに密封された単一ウェーハ容器。

炭化ケイ素SiC4H/ 6H高品質ウェーハは、ショットキーダイオードとSBD、高出力スイッチングMOSFETとJFETなど、多くの最先端の優れた高速、高温、高電圧の電子デバイスの製造に最適です。また、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとサイリスタの研究開発。卓越した新世代の半導体材料として、炭化ケイ素SiCウェーハは、高出力LEDコンポーネントの効率的なヒートスプレッダとして、または将来のターゲットを絞った科学的調査のためにGaN層を成長させるための安定した人気のある基板としても機能します。