Antimony Telluride Sb2Te3 | Al2Te3 As2Te3 Bi2Te3 Ga2Te3 3N 4N 5N Featured Image

テルル化アンチモンSb₂Te₃|アル₂Te₃ As₂Te₃ Bi₂Te₃ Ga₂Te₃3N 4N 5N

説明

テルル化アンチモンSb₂Te₃、周期表のVA族、VIA元素の化合物半導体。六角形-菱面体構造、密度6.5g / cm³、融点620^oC、バンドギャップ0.23eV、CAS 1327-50-0、MW 626.32、硝酸に可溶で酸と不適合、水に不溶、不燃性の安定性。テルル化アンチモンはグループ15の半金属トリカルコゲニド、Sbに属します₂Te₃結晶は典型的な横方向のサイズ、長方形、金属の外観を持ち、層はファンデルワールス相互作用を介して一緒に積み重ねられ、薄い2D層に剥離することができます。ブリッジマン法によって調製されたAntimonyTellurideは、半導体、トポロジカル絶縁体、熱電材料、太陽電池材料、真空蒸着です。一方、Sb2Te3は、高性能相変化メモリまたは光データストレージアプリケーションの重要なベース材料です。テルライド化合物は、電解質材料、半導体ドーパント、QLEDディスプレイ、IC分野など、その他の材料分野として多くの用途があります。

配達

テルル化アンチモンSb₂Te₃およびアルミニウムテルライドアル₂Te₃、ヒ素テルライドとして₂Te₃、ビスマステルリドBi₂Te₃、ガリウムテルライドGa₂Te₃Western Minmetals（SC）Corporationでは、4N 99.99％および5N 99.999％の純度で、粉末-60メッシュ、-80メッシュ、顆粒1-6mm、塊1-20mm、チャンク、バルククリスタル、ロッドおよび基板などの形で、またはカスタマイズされた形で入手できます。完璧なソリューションに到達するための仕様。

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詳細

テルライド化合物化学量論的組成が特定の範囲内で変化して化合物ベースの固溶体を形成する金属元素および半金属化合物を指します。金属間化合物は、金属とセラミックの間の優れた特性を備えており、新しい構造材料の重要なブランチになります。三テルル化アンチモンSbのテルライド化合物₂Te₃、アルミニウムテルライドアル₂Te₃、ヒ素テルライドとして₂Te₃、ビスマステルリドBi₂Te₃、テルル化カドミウムCdTe、テルル化カドミウム亜鉛CdZnTe、テルル化カドミウムマンガンCdMnTeまたはCMT、テルル化銅銅₂Te、Gallium Telluride Ga₂Te₃、ゲルマニウムテルル化物GeTe、インジウムテルル化物InTe、鉛テルル化鉛PbTe、モリブデンテルル化物MoTe₂、タングステンテルライドWTe₂そしてその（Li、Na、K、Be、Mg、Ca）化合物と希土類化合物は、粉末、顆粒、塊、棒、基質、バルク結晶、単結晶の形で合成することができます…

いいえ。	アイテム	標準仕様
いいえ。	アイテム	方式	純度	サイズとパッキング
1	テルル化亜鉛	ZnTe	5N	-60メッシュ、-80メッシュの粉末、1〜20 mmの不規則な塊、1〜6 mmの顆粒、ターゲットまたはブランク。ポリエチレンボトルまたは複合バッグに500gまたは1000g、外側にカートンボックス。テルライド化合物の組成は、ご要望に応じてご利用いただけます。特別な仕様とアプリケーションをカスタマイズして、完璧なソリューションを実現できます
2	ヒ素テルライド	As₂Te₃	4N 5N
3	テルル化アンチモン	Sb₂Te₃	4N 5N
4	テルル化アルミニウム	Al₂Te₃	4N 5N
5	テルライドビスマス	Bi₂Te₃	4N 5N
6	テルル化銅	Cu₂Te	4N 5N
7	テルル化カドミウム	CdTe	5N 6N 7N
8	テルル化カドミウム亜鉛	CdZnTe、CZT	5N 6N 7N
9	カドミウムマンガンテルライド	CdMnTe、CMT	5N 6N
10	テルル化ガリウム	Ga₂Te₃	4N 5N
11	一テルル化ゲルマニウム	GeTe	4N 5N
12	インジウムテルライド	インテ	4N 5N
13	テルル化鉛	PbTe	5N
14	モリブデンテルライド	MoTe₂	3N5
15	タングステンテルライド	WTe₂	3N5

テルル化アルミニウム

テルル化アルミニウムAl₂Te₃またTriturium Dialuminium、CAS 12043-29-7、MW 436.76、密度4.5g / cm³、無臭、灰黒色の六方晶で、室温で安定ですが、湿気のある空気中でテルル化水素と水酸化アルミニウムに分解します。テルル化アルミニウムAl₂Te₃、1000°CでAlとTeを反応させることによって形成することができ、バイナリシステムAl-Teは中間相AlTe、Alを含みます₂Te₃（α相およびβ相）およびAl₂Te₅、α-Alの結晶構造₂Te₃単斜晶系です。テルル化アルミニウムAl₂Te₃主に医薬品原料、半導体、赤外線材料に使用されています。テルル化アルミニウムAl₂Te₃Western Minmetals（SC）Corporationでは、4N 99.99％および5N 99.999％の純度で、粉末、顆粒、塊、チャンク、バルククリスタルなどの形で、またはボトルまたは複合バッグによる真空パッケージでカスタマイズされた仕様として入手できます。

ヒ素テルライド

テルル化ヒ素またはジテルル化ヒ素As₂Te₃、グループI-IIIの二元化合物は、2つの結晶学的Alpha-Asに含まれます₂Te₃およびBeta-As₂Te₃、その中でBeta-As₂Te₃菱面体構造で、合金の含有量を調整することにより、興味深い熱電（TE）特性を示します。多結晶ヒ素テルル化物として₂Te₃粉末冶金によって合成された化合物は、新しいTE材料を高効率で設計するための興味深いプラットフォームとなる可能性があります。As2Te3の単結晶は、化学量論量の粉末AsとTeの混合物をHCl 25％w / w溶液で加熱し、徐々に冷却することによって水熱的に調製されます。主に半導体、トポロジカル絶縁体、熱電材料として使用されています。ヒ素テルライドとして₂Te₃Western Minmetals（SC）Corporationでは、純度99.99％4N、99.999％5Nで、粉末、顆粒、塊、塊、バルク結晶などの形で、またはカスタマイズされた仕様として提供できます。

テルライドビスマス

テルライドビスマスBi₂Te₃、PタイプまたはNタイプ、CAS No 1304-82-1、MW 800.76、密度7.642 g / cm³、融点585⁰Cは、真空製錬で制御された結晶化プロセス、つまりBridgman-Stockbarber法とZone-floating法によって合成されます。熱電半導体材料として、Bismuth Telluride疑似二元合金は、さまざまな機器の小型化された多用途の冷却装置や宇宙船でのエネルギー生成のための室温熱電冷却アプリケーションに最適な特性を示します。多結晶の代わりに適切に配向された単結晶を使用することにより、熱電デバイス（熱電冷却器または熱電発電機）の効率を大幅に向上させることができます。フィルム素材。テルライドビスマスBi₂Te₃Western Minmetals（SC）Corporationは、粉末、顆粒、塊、ロッド、基板、バルク結晶などのサイズで、4N 99.99％および5N 99.999％の純度で納品されます。

テルル化ガリウム

ガリウムテルライドGa₂Te₃は、MW 522.24、CAS 12024-27-0、融点790℃、密度5.57g/cmの硬くて脆い黒色の結晶です。³。単結晶ガリウムテルル化物GaTeは、Bridgman Growth、Chemical Vapor Transport CVT、Flux Zone Growthなどのさまざまな成長技術を使用して開発され、粒子サイズ、欠陥濃度、構造、光学、および電子の一貫性を最適化します。しかし、フラックスゾーン技術は、真に半導体グレードのvdW結晶を合成するために使用されるハロゲン化物を含まない技術であり、化学蒸気輸送CVT技術とは異なり、完全な原子構造のための遅い結晶化と不純物のない結晶成長を保証します。テルル化ガリウムGaTeは、III-VI金属化合物結晶に属する層状半導体であり、単斜晶系の安定したα-GaTeと六角形の準安定なβ-GaTe、良好なp型輸送特性、直接バンドの2つの修飾があります。バルクで1.67eVのギャップがある場合、六方晶相は高温で単斜晶相に変換されます。テルル化ガリウム層状半導体は、将来のオプトエレクトロニクスアプリケーションにとって魅力的な興味深い特性を備えています。ガリウムテルライドGa₂Te₃Western Minmetals（SC）Corporationでは、純度99.99％4N、99.999％5Nで、粉末、顆粒、塊、チャンク、ロッド、バルククリスタルなどの形で、またはカスタマイズされた仕様で提供できます。