アンチモン化ガリウムGaSb

説明

アンチモン化ガリウムGaSb、亜鉛-ブレンデ格子構造のIII-V族化合物の半導体は、6N 7Nの高純度ガリウムおよびアンチモン元素によって合成され、方向性凍結多結晶インゴットからLEC法またはEPD<1000cmのVGF法によって結晶に成長します。^-3。GaSbウェーハは、電気パラメータの均一性が高く、独自の一定の格子構造を持ち、欠陥密度が低く、他のほとんどの非金属化合物よりも屈折率が高い単結晶インゴットにスライスして後で製造できます。GaSbは、正確またはオフ配向、低または高ドープ濃度、良好な表面仕上げ、およびMBEまたはMOCVDエピタキシャル成長の幅広い選択肢で処理できます。アンチモン化ガリウム基板は、光検出器、長寿命、高感度、信頼性のある赤外線検出器、フォトフォトコンポーネント、赤外線LEDとレーザー、トランジスタ、熱光起電力セルの製造など、最先端の光光学およびオプトエレクトロニクスアプリケーションで利用されています。および熱光起電力システム。

配達

Western Minmetals（SC）Corporationのアンチモン化ガリウムGaSbは、直径2” 3”および4”（50mm、75mm、100mm）、配向<111>のn型、p型、およびドープされていない半絶縁導電率で提供できます。または<100>で、ウェーハ表面の仕上げは、カット、エッチング、研磨、または高品質のエピタキシー対応仕上げです。すべてのスライスは、アイデンティティのために個別にレーザースクライブされています。一方、多結晶アンチモン化ガリウムGaSbの塊も、要求に応じて完全なソリューションにカスタマイズされます。

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詳細

アンチモン化ガリウムGaSb基板は、光検出器、長寿命、高感度、信頼性のある赤外線検出器、フォトフォトコンポーネント、赤外線LEDとレーザー、トランジスタ、熱太陽電池、サーモなど、最先端の光光学およびオプトエレクトロニクスアプリケーションで利用されています。 -太陽光発電システム。

	アイテム	標準仕様
1	サイズ	2"	3"	4"
2	直径mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	成長方法	LEC	LEC	LEC
4	導電率	P型/Znドープ、非ドープ、N型/Teドープ
5	オリエンテーション	（100）±0.5°、（111）±0.5°
6	厚さμm	500±25	600±25	800±25
7	オリエンテーションフラットmm	16±2	22±1	32.5±1
8	識別フラットmm	8±1	11±1	18±1
9	モビリティcm2/Vs	200〜3500または必要に応じて
10	キャリア濃度cm-3	（1-100）E17または必要に応じて
11	TTVμmmax	15	15	15
12	ボウμmmax	15	15	15
13	ワープμmmax	20	20	20
14	転位密度cm-2max	500	1000	2000
15	表面仕上げ	P / E、P / P	P / E、P / P	P / E、P / P
16	梱包	アルミバッグに密封されたシングルウェーハコンテナ。

一次方程式	GaSb
分子量	191.48
結晶構造	閃亜鉛鉱
外観	灰色の結晶性固体
融点	710°C
沸点	該当なし
300Kでの密度	5.61 g / cm³
エネルギーギャップ	0.726 eV
固有の抵抗率	1E3Ω-cm
CAS番号	12064-03-8
EC番号	235-058-8

アンチモン化ガリウムGaSbWestern Minmetals（SC）Corporationは、直径2"3"および4"（50mm、75mm、100mm）、方向<111>または<100のサイズのn型、p型、およびドープされていない半絶縁導電率を提供できます。 >、およびカット、エッチング、研磨、または高品質のエピタキシー対応仕上げのウェーハ表面仕上げ。すべてのスライスは、アイデンティティのために個別にレーザースクライブされています。一方、多結晶アンチモン化ガリウムGaSbの塊も、要求に応じて完全なソリューションにカスタマイズされます。