リン化ガリウムGaP

説明

リン化ガリウムGaPは、他のIII-V複合材料と同様に独自の電気的特性を持つ重要な半導体であり、熱力学的に安定した立方晶ZB構造で結晶化します。これは、間接バンドギャップが2.26 eV（300K）のオレンジイエローの半透明結晶材料です。 6N 7Nの高純度ガリウムとリンから合成され、Liquid Encapsulated Czochralski（LEC）技術によって単結晶に成長します。リン化ガリウム結晶は、n型半導体を得るために硫黄またはテルルをドープされ、亜鉛は、光学システム、電子および他のオプトエレクトロニクスデバイスでの用途を持つ所望のウェーハにさらに製造するためのp型導電性としてドープされます。単結晶GaPウェーハは、LPE、MOCVD、およびMBEエピタキシャルアプリケーション用にEpi-Readyで準備できます。Western Minmetals（SC）Corporationの高品質単結晶リン化ガリウムGaPウェーハのp型、n型、またはドープされていない導電率は、2インチおよび3インチ（50mm、直径75mm）のサイズ、配向<100>、<111で提供できます。 >カット、ポリッシュ、またはエピレディプロセスの表面仕上げ。

アプリケーション

リン化ガリウムGaPウェーハは、低電流で発光効率が高いため、低コストの赤、オレンジ、緑の発光ダイオード（LED）、黄と緑のLCDなどのバックライトなどの光学ディスプレイシステムや、LEDチップの製造に適しています。低輝度から中輝度のGaPは、赤外線センサーや監視カメラ製造の基本基板としても広く採用されています。

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詳細

Western Minmetals（SC）Corporationの高品質単結晶リン化ガリウムGaPウェーハまたは基板のp型、n型、またはドープされていない導電率は、直径2インチおよび3インチ（50mm、75mm）、配向<100>のサイズで提供できます。、<111>は、アルミニウム複合バッグに密封された単一ウェーハ容器で、または完全なソリューションにカスタマイズされた仕様として、カット、ラップ、エッチング、研磨、エピレディ処理された表面仕上げを備えています。

いいえ。	アイテム	標準仕様
1	GaPサイズ	2"
2	直径mm	50.8±0.5
3	成長方法	LEC
4	導電率タイプ	P型/Znドープ、N型/（S、Si、Te）ドープ、非ドープ
5	オリエンテーション	<111>±0.5°
6	厚さμm	（300-400）±20
7	抵抗率Ω-cm	0.003-0.3
8	オリエンテーションフラット（OF）mm	16±1
9	識別フラット（IF）mm	8±1
10	ホールモビリティcm2/Vs min	100
11	キャリア濃度cm^-3	（2-20）E17
12	転位密度cm^-2最大	2.00E + 05
13	表面仕上げ	P / E、P / P
14	梱包	アルミニウム複合バッグに密封された単一ウェーハ容器、外側のカートンボックス

一次方程式	ギャップ
分子量	100.7
結晶構造	閃亜鉛鉱
外観	オレンジ色の固体
融点	該当なし
沸点	該当なし
300Kでの密度	4.14 g / cm³
エネルギーギャップ	2.26 eV
固有の抵抗率	該当なし
CAS番号	12063-98-8
EC番号	235-057-2

リン化ガリウムGaPウェーハは、低電流で発光効率が高く、低コストの赤、オレンジ、緑の発光ダイオード（LED）、黄と緑のLCDなどのバックライト、低から中程度のLEDチップ製造などの光学ディスプレイシステムに適しています。 GaPは、赤外線センサーや監視カメラ製造の基本基板としても広く採用されています。